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H26M42001EFR 发布时间 时间:2025/9/2 10:46:04 查看 阅读:3

H26M42001EFR是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片广泛应用于各种电子设备中,如计算机、服务器、嵌入式系统和消费类电子产品,主要用于提供临时数据存储功能。该芯片采用标准的TSOP(薄型小外形封装)封装技术,具有较高的集成度和较低的功耗,适合需要高性能和高稳定性的应用场景。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:x16位
  速度:-5A(5.4ns访问时间)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

H26M42001EFR是一款高性能的DRAM芯片,具有良好的稳定性和可靠性。其主要特性包括低功耗设计、高速数据访问能力以及宽泛的工作电压范围,使其能够在多种环境下稳定运行。
  该芯片采用x16的组织结构,支持16位并行数据传输,提高了数据处理效率。其TSOP封装设计不仅减小了芯片的体积,还提高了散热性能,适用于空间受限的高密度电路板设计。
  此外,H26M42001EFR支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能,适合工业控制、通信设备和车载系统等应用领域。
  该芯片还具备良好的兼容性,能够与多种控制器和处理器无缝对接,简化系统设计并提高整体性能。

应用

H26M42001EFR常用于需要高性能内存解决方案的各类电子设备中,如工业控制设备、网络路由器、交换机、嵌入式系统、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)以及车载电子系统等。其高稳定性和宽温工作范围使其特别适合工业和汽车电子应用。

替代型号

H57V2562GTR-5A, HY57V2562GTR-5A

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