时间：2025/9/2 4:22:43
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H26M41208HPRR 是一种由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这种存储器芯片广泛应用于需要高性能和大容量内存的电子设备中，如计算机、服务器、网络设备和消费类电子产品。该型号的DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有较高的数据存取速度和稳定性。H26M41208HPRR的具体规格包括存储容量、数据宽度、工作电压、时钟频率等，适用于需要高速数据处理的应用场景。
容量：256Mbit
组织结构：16M x16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
数据总线宽度：16位
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H26M41208HPRR 是一款高性能的DRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高存储容量、快速的数据访问速度以及低功耗设计。这款芯片采用TSOP封装技术，有助于减少芯片的物理尺寸并提高封装密度，适用于各种紧凑型设备的设计。此外，H26M41208HPRR能够在较宽的温度范围内正常工作，适合工业级应用的需求。芯片内部集成了自动刷新和自刷新功能，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，从而降低系统功耗。其高速存取能力使得它在需要大量数据吞吐的应用中表现优异，例如图像处理、实时视频流传输和高速缓存系统。
该芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和系统架构配合使用，简化了系统设计和集成的复杂度。H26M41208HPRR 的设计符合行业标准，支持标准的DRAM控制信号和接口协议，确保了在不同应用环境下的稳定运行。
H26M41208HPRR 广泛应用于需要高速存储和数据处理能力的电子设备中。常见的应用包括个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、视频监控设备以及消费类电子产品如智能电视和游戏主机。由于其高容量和快速响应的特性，该芯片在图形处理、缓存存储和实时数据处理等方面表现出色，能够显著提升系统的整体性能。
HY62V25616EDT-55B
