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GA1812Y184JBAAR31G 发布时间 时间:2025/7/1 6:53:44 查看 阅读:4

GA1812Y184JBAAR31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,主要用于高频和高功率应用场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺制造,具有卓越的开关性能和低导通电阻,适合于电源管理、无线充电、太阳能逆变器以及其他需要高效率和高性能的电子系统。
  与传统硅基 MOSFET 相比,这款芯片具备更高的工作频率和更低的能量损耗,因此能够显著提升系统的整体效率。其封装设计也充分考虑了散热需求,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。

参数

型号:GA1812Y184JBAAR31G
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  连续漏极电流(Id):18A
  功耗(PD):270W
  封装形式:TO-247-4L
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C

特性

1. 高效功率转换能力,适用于高频开关应用。
  2. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,支持高达数 MHz 的开关频率。
  4. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,提高系统可靠性。
  5. 紧凑型封装设计,便于集成到各种电子设备中。
  6. 良好的热稳定性,即使在极端温度环境下也能正常工作。
  7. 支持多种驱动方式,兼容现有控制器架构。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS):
   - AC-DC 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动控制:
   - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动
  3. 新能源领域:
   - 太阳能微逆变器
   - 储能系统中的双向变换器
  4. 消费类电子产品:
   - 快速充电适配器
   - 笔记本电脑电源
  5. 通信基础设施:
   - 数据中心供电模块
   - 电信基站电源

替代型号

GA1812Y184JBBAR31G
  GA1812Y184JCAAR31G

GA1812Y184JBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-