GA1812Y184JBAAR31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,主要用于高频和高功率应用场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺制造,具有卓越的开关性能和低导通电阻,适合于电源管理、无线充电、太阳能逆变器以及其他需要高效率和高性能的电子系统。
与传统硅基 MOSFET 相比,这款芯片具备更高的工作频率和更低的能量损耗,因此能够显著提升系统的整体效率。其封装设计也充分考虑了散热需求,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
型号:GA1812Y184JBAAR31G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
连续漏极电流(Id):18A
功耗(PD):270W
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
1. 高效功率转换能力,适用于高频开关应用。
2. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度,支持高达数 MHz 的开关频率。
4. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,提高系统可靠性。
5. 紧凑型封装设计,便于集成到各种电子设备中。
6. 良好的热稳定性,即使在极端温度环境下也能正常工作。
7. 支持多种驱动方式,兼容现有控制器架构。
1. 开关模式电源 (SMPS):
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动控制:
- 无刷直流电机 (BLDC) 驱动
3. 新能源领域:
- 太阳能微逆变器
- 储能系统中的双向变换器
4. 消费类电子产品:
- 快速充电适配器
- 笔记本电脑电源
5. 通信基础设施:
- 数据中心供电模块
- 电信基站电源
GA1812Y184JBBAR31G
GA1812Y184JCAAR31G