型号：H2038DG
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：350pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

H2038DG具备多项优异的电气与热力学特性，确保其在复杂电力电子系统中的高效稳定运行。首先，其高达600V的漏源击穿电压（BVDSS）使其能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于市电整流后的高压侧开关应用，例如离线式反激变换器或PFC电路中作为主开关管使用。其次，该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体转换效率，尤其在中低负载条件下表现更为突出。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使得驱动电路所需提供的驱动能量减少，有助于简化驱动设计并提升开关频率上限，从而减小外围滤波元件体积，实现系统小型化。
　　H2038DG采用了优化的沟槽式栅极结构，不仅提高了单位面积的载流能力，还增强了器件的热稳定性。其最大连续漏极电流可达7A，脉冲电流能力达28A，足以应对短时过载或启动浪涌电流的情况。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss=1100pF）和输出电容（Coss=350pF），有利于减少高频开关过程中的动态损耗，并降低电磁干扰（EMI）水平。反向恢复时间（trr）为45ns，配合快速恢复二极管或体二极管使用时可有效抑制电压尖峰，提高系统安全性。
　　在可靠性方面，H2038DG具备良好的热阻特性，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）较低，配合PCB上的散热焊盘可将热量迅速传导出去，防止局部过热导致失效。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，可在桥式拓扑中提供续流路径。另外，±30V的栅源电压耐受能力增强了其抗干扰能力，避免因驱动信号振荡或噪声引发误开通。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和成本效益，是中小功率开关电源设计中的理想选择之一。

H2038DG广泛应用于各类中低功率开关电源系统，包括但不限于：手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、家用电器控制板、工业电源模块、DC-DC转换器、电机控制电路以及太阳能微型逆变器等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，特别适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）及有源钳位等拓扑结构的AC-DC转换器中作为主开关管。在LED恒流驱动方案中，可用于隔离型降压或升降压电路，实现高效稳定的电流输出。此外，也可用于电机驱动中的H桥上桥臂开关，支持PWM调速功能。其TO-252封装便于焊接与维修，适合批量生产和自动化组装。