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H15VHD3U 发布时间 时间:2025/6/30 10:41:27 查看 阅读:3

H15VHD3U是一种高压MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用TO-220封装形式,具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换场景。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:15A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

H15VHD3U具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,可承受高达600V的漏源电压。
  2. 低导通电阻,能够有效降低功率损耗。
  3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  4. 具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 封装形式为TO-220,便于散热和安装。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

H15VHD3U主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的开关控制。
  3. 逆变器系统中的功率转换组件。
  4. LED驱动电路中的负载切换。
  5. 各种工业控制设备中的功率管理部分。
  6. 电动车充电器和其他高压应用场景中的功率调节。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF50
  FDP5500

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