时间：2025/6/30 10:41:27
阅读：25
H15VHD3U是一种高压MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点，适用于多种功率转换场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：15A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+150℃
H15VHD3U具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压。
2. 低导通电阻，能够有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 封装形式为TO-220，便于散热和安装。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
H15VHD3U主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的开关控制。
3. 逆变器系统中的功率转换组件。
4. LED驱动电路中的负载切换。
5. 各种工业控制设备中的功率管理部分。
6. 电动车充电器和其他高压应用场景中的功率调节。
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5500
