类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：500V
　　额定集电极电流（IC）：15A
　　导通压降（VCE_sat）：约1.6V（典型值）
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：TO-218
　　输入信号类型：光耦隔离驱动
　　隔离电压：2500Vrms
　　短路耐受能力：有

H15NB50FI的核心特性之一是其高效的功率处理能力，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。该器件采用了先进的IGBT技术，具备较低的导通压降和快速的开关特性，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。此外，该IGBT内置了光耦隔离驱动电路，使得控制电路与功率电路之间实现电气隔离，增强了系统的安全性与抗干扰能力。
　　在热管理方面，H15NB50FI采用高导热材料和优化的封装设计，能够在高负载条件下有效散热，延长器件寿命。其工作温度范围广泛（-40°C至+150°C），适应各种严苛的工业环境。同时，该器件具备良好的短路保护能力，可在异常工况下维持稳定运行，避免系统损坏。
　　另外，H15NB50FI的封装形式为TO-218，便于安装和散热管理，适用于多种功率模块设计。由于其高集成度和优异的性能，H15NB50FI在工业电机驱动、UPS系统、太阳能逆变器和电焊设备等领域得到了广泛应用。

H15NB50FI广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如，在工业变频器中，该器件可用于控制电机的转速和扭矩，实现高效能的电机驱动。在不间断电源（UPS）系统中，H15NB50FI用于DC-AC逆变电路，确保电力中断时的无缝切换。此外，该IGBT也适用于太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备和电动车辆的电源管理系统。由于其优异的电气特性和热稳定性，H15NB50FI非常适合用于需要长时间连续运行的工业自动化设备。

H15NB50FD、H15NB50FJ、MG75Q2YS40、IRGP50B60PD1