类型：光耦合器（晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：50% 至 600%（取决于测试条件）
　　最大正向电流（IF）：60 mA
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大发射极-集电极电压（VEC）：5 V
　　最大功耗：100 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装类型：6引脚DIP（Dual In-line Package）
　　绝缘电压：5300 Vrms（1分钟）
　　安装类型：通孔（Through Hole）

H11L1S-TA1-GE 的主要特性之一是其出色的电气隔离能力，绝缘电压高达 5300 Vrms，确保在高电压环境中实现安全的信号传输。其封装符合行业标准，便于在各种 PCB 设计中使用。此外，该器件的工作温度范围广泛，适用于高温或低温环境下的应用。
　　在性能方面，H11L1S-TA1-GE 提供较高的电流传输比（CTR），通常在 50% 至 600% 之间，具体取决于工作条件。这意味着在输入 LED 电流较低的情况下，仍能获得足够的输出晶体管电流，适用于低功耗设计。此外，其最大正向电流为 60 mA，最大集电极电流可达 150 mA，满足中等功率应用的需求。
　　该器件的可靠性较高，具有较长的使用寿命，并能够在恶劣环境中稳定运行。其设计符合 UL 和 CSA 认证标准，适用于需要符合国际安全规范的应用场景。此外，H11L1S-TA1-GE 的响应时间较快，适合用于数字信号隔离，例如在电源控制、PLC（可编程逻辑控制器）和工业自动化系统中。

H11L1S-TA1-GE 广泛应用于工业自动化系统、电机控制、继电器驱动、电源管理、变频器和逆变器等电力电子设备中。它也常用于家用电器和消费类电子产品，例如洗衣机、冰箱和空调的控制电路，以实现主控部分与高压部分的电气隔离。此外，该光耦合器可用于通信设备、仪器仪表、测试设备以及各种需要信号隔离的嵌入式系统。

H11L1M-TA1-GE, H11L1B-TA-GE, PC817C, 4N35, TLP521-1