时间：2025/9/14 17:43:56
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BF820W,135 是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。BF820W,135 采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备良好的热性能和电气性能，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A（在Tmb=25°C时）
脉冲漏极电流（IDM）：240A
导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（Ptot）：90W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
BF820W,135 具备多项优异特性，适合高性能功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用LFPAK56封装，具有优异的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度设计。该封装还具有低热阻（Rth）特性，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
此外，BF820W,135 支持高达70A的连续漏极电流，适用于需要大电流能力的电源系统。其高栅极电压容限（±20V）提供了更强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下稳定运行。该MOSFET具备雪崩能量耐受能力，可承受一定的过压冲击，提高了系统的可靠性。
BF820W,135 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器。其内部结构优化，降低了寄生电感，提高了开关性能，减少了开关损耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
BF820W,135 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制器、电源适配器、服务器电源、汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC转换器）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高电流能力和低导通电阻，BF820W,135 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计。例如，在同步整流电路中，它可以有效降低传导损耗，提高整体转换效率。在电池管理系统中，该MOSFET可用于实现高精度的充放电控制。在电机驱动应用中，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高响应速度。
Si7490DP,IRF7490,PSMN1R5-30PL,IPD90N03S4-03
