类型：光敏MOSFET驱动器
　　隔离电压：5000 Vrms
　　正向电流（IF）：20 mA
　　反向电压（VR）：3 V
　　输出电压范围：10 V ~ 30 V
　　输出电流（Sink Current）：0.5 A
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：DIP-6

H11G1.S具有多个显著的技术特点。首先，它采用光耦合技术，实现了输入与输出之间的电气隔离，隔离电压高达5000 Vrms，能够在高电压和高噪声环境下提供稳定的信号传输和安全保障。其次，该器件内部集成了光敏元件和MOSFET驱动电路，能够直接驱动外部功率MOSFET或IGBT，简化了外围电路设计。
　　其输入端可接受标准的逻辑电平信号（如来自微控制器或数字信号处理器的输出），并将其转换为光信号，通过隔离屏障传输到输出端。输出端则将光信号还原为电信号，从而控制功率器件的导通与关断。这种设计不仅提高了系统的可靠性，还降低了电磁干扰（EMI）的影响。
　　此外，H11G1.S具备较强的输出驱动能力，最大Sink电流可达0.5A，输出电压范围宽广（10V至30V），适用于多种应用场景。其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，适用于工业级和车载环境中的高温或低温工作条件。
　　该器件的DIP-6封装形式便于插件安装，适合在各种PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。整体上，H11G1.S是一款性能稳定、应用广泛的光电隔离驱动器件。

H11G1.S广泛应用于需要电气隔离和功率MOSFET驱动的场合。常见的应用包括：工业自动化控制系统中的继电器驱动、电机控制和变频器设计；电源管理系统中的开关电源（SMPS）和DC-DC转换器；电动车和新能源系统中的电池管理和逆变器控制；以及家电产品中的马达驱动和负载控制等。
　　在电机控制应用中，H11G1.S可用于隔离控制电路与功率电路，保护控制器免受高电压和大电流的干扰，同时提供稳定的MOSFET驱动信号。在开关电源中，该器件可作为驱动桥式电路的高端或低端开关，实现高效的功率转换。
　　由于其具备较高的隔离能力和可靠性，H11G1.S也常用于医疗设备、测试仪器和安全要求较高的工业设备中，作为信号隔离和功率驱动的关键组件。

HCPL-3120, TLP250, LTV-847S, PC923