类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：700 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：2.8 A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6 V ~ 1.0 V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：450 mΩ 最大
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=1.8V：650 mΩ 最大
　　输入电容（Ciss）：42 pF @ VDS = 20 V
　　反向传输电容（Crss）：9 pF @ VDS = 20 V
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装/封装形式：SOT1223B (DFN1006D-3)
　　通道数：单通道
　　极性：增强型
　　栅极电荷（Qg）：1.3 nC @ VGS = 4.5 V
　　开启延迟时间（td(on)）：3 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：4 ns

N450 SLBMG 采用了 Nexperia 先进的 TrenchMOS 技术，这种结构通过在硅衬底上形成深沟槽来优化电流传导路径，从而显著降低 RDS(on)，提高器件效率。其最大静态漏源导通电阻在 VGS=2.5V 条件下仅为 450 mΩ，能够在低电压控制条件下实现高效的功率切换，特别适用于由锂电池供电的系统，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。由于其超低的栅极电荷（仅 1.3 nC），该 MOSFET 可以快速开启和关闭，减少开关损耗，提升整体能效。此外，其输入电容仅为 42 pF，在高频操作中表现出色，有助于减小驱动电路的负担。
　　该器件的封装尺寸为 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm，属于超小型 DFN 封装，极大节省了印刷电路板的空间，非常适合高密度布局的应用场景。尽管体积微小，但其热性能经过优化，可通过底部散热焊盘有效传导热量，确保在持续工作条件下的可靠性。SOT1223B 封装还支持回流焊工艺，兼容标准 SMT 生产流程，提升了制造效率与良率。N450 SLBMG 的阈值电压范围为 0.6 V 至 1.0 V，可在低逻辑电平（如 1.8 V 或 3.3 V）下可靠工作，适用于现代微控制器直接驱动的应用。
　　该 MOSFET 具备良好的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）性能，增强了系统在瞬态事件中的鲁棒性。其工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，可在严苛环境温度下稳定运行。器件符合 AEC-Q101 汽车级认证要求，适用于车载电子模块中的低功率开关任务。此外，产品不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准，满足高端电子产品的环保规范。总体而言，N450 SLBMG 凭借其小尺寸、高性能和高可靠性，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

N450 SLBMG 广泛应用于对空间和功耗高度敏感的电子系统中。典型应用场景包括移动设备中的电源管理单元，例如作为电池供电路径上的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序，避免浪涌电流影响系统稳定性。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中，它可用于传感器电源的动态启停控制，以延长续航时间。该器件也常见于无线耳机、TWS 耳机的充电仓电路中，执行充电状态切换或通信线路的信号选通功能。
　　在工业和消费类电子产品中，N450 SLBMG 可用于 LED 驱动电路中的恒流调节开关，或作为小型直流电机的驱动元件，例如用于微型风扇或振动马达的控制。其快速响应特性使其适用于高速信号切换应用，如多路复用器辅助开关或通信接口的热插拔保护电路。在嵌入式系统中，常被用作 GPIO 扩展芯片或传感器 IC 的使能控制开关，实现按需供电以降低待机功耗。
　　此外，该器件适用于各类 DC-DC 转换器拓扑结构，特别是在同步整流或自举电路中作为辅助开关使用。由于其支持汽车级工作温度范围并符合 AEC-Q101 认证，也可用于车载信息娱乐系统的子模块、车身控制模块或 ADAS 相关的小功率电源管理电路中。在智能家居设备中，如无线门铃、智能锁或传感器节点中，N450 SLBMG 同样发挥着关键作用，帮助实现节能设计和紧凑化布局。

BSS138N, PMEM9520UDN, FDMT402, DMG4405