类型：光耦合器
　　输入端：红外LED
　　输出端：光敏三极管
　　隔离电压：5000 Vrms
　　最大正向电流（IF）：60 mA
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　响应时间：约10 μs
　　封装类型：H11D1为DIP-6，H11D13SD为SMD

H11D1/H11D13SD 光耦合器具有多项显著的特性，使其在电气隔离和信号传输应用中表现出色。首先，其隔离电压高达 5000 Vrms，确保了在高压环境下信号传输的安全性，适用于工业控制、电源管理等对安全要求较高的场合。其次，该器件采用红外LED与光敏三极管的组合结构，能够实现高效的电-光-电转换，传输效率高且响应速度快，响应时间约为 10 μs，满足大多数实时控制需求。
　　此外，H11D1 采用标准的 DIP-6 封装，适用于通孔焊接工艺，安装简便且稳定性好，适合传统电路板设计。而 H11D13SD 则采用 SMD 封装，适用于表面贴装工艺，有助于减小电路板尺寸并提高组装效率，适合现代高密度电子设备。两种封装形式的引脚功能一致，便于在不同设计阶段进行互换。
　　在电气特性方面，该光耦合器的最大正向电流为 60 mA，最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压为 30 V，具备良好的电流驱动能力，能够直接驱动小型继电器、LED 或晶体管等负载。同时，其工作温度范围较宽，通常为 -55°C 至 +125°C，适应性强，适用于各种工业环境。

H11D1/H11D13SD 光耦合器广泛应用于需要电气隔离的电路中，例如开关电源、逆变器、电机控制、工业自动化系统、信号隔离器、安全继电器以及通信设备中的隔离接口。由于其高隔离电压和良好的信号传输性能，这些光耦合器特别适用于需要将低压控制电路与高压主电路隔离的场合，如变频器、PLC 控制系统、智能电表以及家用电器中的安全隔离电路。
　　在开关电源设计中，H11D1/H11D13SD 常被用于反馈控制电路，将次级侧的电压或电流信号隔离传输至初级侧的 PWM 控制器，从而实现精确的电压调节。在工业控制系统中，它们用于隔离传感器信号、数字输入/输出接口以及远程通信线路，防止地线噪声和电磁干扰对系统稳定性的影响。
　　此外，H11D1/H11D13SD 也常用于交流电机控制电路中，作为触发双向可控硅（TRIAC）或功率 MOSFET 的驱动电路，确保控制信号与主电路之间的安全隔离。在智能电表和能源管理系统中，它们用于隔离测量电路与通信模块，保障数据传输的可靠性。

PC817, TLP521, 4N35, EL3H7-G