工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大输入电流（IF）：60 mA
　　最大反向输入电压（VR）：5 V
　　最大输出电压（VCEO）：30 V
　　最大输出电流（IC）：2 mA
　　隔离电压：5300 VRMS
　　电流传输比（CTR）：20% 至 400%
　　响应时间：10 μs（开启），15 μs（关闭）

H11B2.300W 光耦合器具有良好的电气隔离性能，隔离电压高达 5300 VRMS，能够在高压环境下提供可靠的信号传输。其封装设计紧凑，便于在各种电路板上安装。此外，该器件的电流传输比（CTR）较高，范围在 20% 至 400% 之间，使其在不同的输入电流条件下都能保持良好的输出响应。
　　该光耦合器的响应时间相对较快，开启时间为 10 μs，关闭时间为 15 μs，适合用于中速信号隔离应用。H11B2.300W 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级温度环境。其 LED 和光电晶体管之间的高绝缘性能确保了设备在高电压应用中的安全性，同时减少了信号干扰的可能性。
　　由于其可靠性和稳定性，H11B2.300W 被广泛应用于各种电子设备中，包括工业自动化控制系统、电源转换器、变频器、继电器控制电路等。该器件的高耐压特性使其特别适合用于需要与主电源隔离的场合。

H11B2.300W 主要用于需要电气隔离的电子电路中。典型应用包括工业控制系统的信号隔离、电力电子设备中的反馈控制、交流电源检测、继电器驱动电路、以及各种需要与主电源隔离的低压电路接口。在变频器和电机控制设备中，H11B2.300W 可用于隔离控制信号和功率部分，确保系统的稳定性和安全性。此外，该器件也常用于测量和监测电路中，例如在电源管理系统中将高压侧的电压或电流信号传递到低压侧进行处理。

H11A1, H11AA1, H11B1