类型：高速光耦
　　最大正向电流（IF）：50 mA
　　峰值正向电流（IFP）：1.5 A
　　最大集电极电流（IC）：20 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大功耗（PD）：100 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：6引脚DIP（双列直插式封装）
　　绝缘耐压：5000 Vrms
　　电流传输比（CTR）：最小20%，典型100%
　　响应时间（Ton/Toff）：最大3 μs / 3 μs

H1106光耦合器具有出色的电气隔离性能，其绝缘耐压可达5000 Vrms，能够有效隔离高压侧与低压侧电路，保障系统的安全性和稳定性。其采用的GaAs红外LED与高速硅光电晶体管组合，确保了在较宽的工作温度范围内保持稳定的电流传输比（CTR）。CTR的最小值为20%，典型值可达100%，这使得H1106在不同驱动电流条件下仍能保持良好的信号传输性能。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+125°C，适用于各种恶劣工业环境。其响应时间（Ton和Toff均为最大3 μs）使其适用于中高速数字信号隔离应用。H1106采用标准的6引脚DIP封装，便于安装和替换，广泛用于工业自动化、电源控制、PLC系统、继电器驱动电路和电信设备中。
　　此外，H1106具备良好的抗干扰能力，能够有效防止电磁干扰（EMI）对信号传输的影响。其低功耗特性也使其适用于对能耗敏感的应用场景。

H1106主要应用于需要高速信号隔离的工业控制系统中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、交流/直流电机控制、固态继电器、电能管理系统、电源监控和通信接口等。此外，它也广泛用于开关电源、变频器、逆变器以及各种需要电气隔离的数字信号传输场合。其高耐压和可靠性使其成为工业自动化和电力电子设备中的常用元件。

6N137, HCPL-2630, TLP2361, LTV-846S