容量：128GB
　　接口类型：PCIe NVMe 3.0 x4
　　工作电压：1.8V
　　封装形式：BGA
　　存储单元类型：3D TLC
　　最大顺序读取速度：3500 MB/s
　　最大顺序写入速度：3000 MB/s
　　随机读取IOPS：650K
　　随机写入IOPS：550K
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保存时间：超过10年（在25°C条件下）

GXM31MR71H184KA02L 的主要特点是提供大容量存储的同时，保持较低的功耗水平。它采用了3D TLC技术，相较于传统的平面存储结构，能够显著提升单位面积内的存储密度，并降低每比特成本。
　　此外，该芯片支持ECC（错误校验与纠正）功能，可有效减少数据传输过程中的误码率，从而提高系统的可靠性。芯片还内置了磨损均衡算法，可以延长存储器的使用寿命。
　　在接口方面，支持最新的 PCIe NVMe 标准，确保了高速的数据传输能力，非常适合用于需要快速响应的实时应用环境。其宽泛的工作温度范围也使得该芯片能够在恶劣环境下稳定运行。

GXM31MR71H184KA02L 芯片因其高性能和大容量存储能力，广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品：如平板电脑、智能电视和高端智能手机等。
　　2. 工业控制设备：包括数据记录仪、监控系统及自动化控制系统。
　　3. 嵌入式系统：如车载信息娱乐系统、网络路由器和交换机等。
　　4. 服务器与数据中心：作为缓存或二级存储使用，提升整体系统性能。
　　其出色的低功耗特性使其也非常适合便携式设备的设计需求。

GXM31MR71H184KA01M
　　GXM31MR71H184KA03N
　　GXM31MR71H184KA04P