FN03B333K6R3PLG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能,广泛应用于各种电源管理和电机驱动场景中。
其封装形式为 LFPAK8(PowerSO-8),适合表面贴装技术(SMT),并且具备较高的电流处理能力和良好的散热性能。
型号:FN03B333K6R3PLG
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻):1.2mΩ(典型值,@ VGS=10V)
ID(连续漏极电流):78A
Qg(总栅极电荷):56nC
EAS(雪崩能量):470μJ
封装:LFPAK8(PowerSO-8)
FN03B333K6R3PLG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
3. 出色的热性能,有助于在紧凑的设计中实现高效的散热管理。
4. 快速开关速度,减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 支持表面贴装技术,便于自动化生产和装配。
该芯片主要应用于需要高效功率转换和开关的领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路设计。
6. 各类逆变器和转换器的功率级组件。
NTMFS4C612NL, IRF7832TRPBF, FDP075N03L