时间：2025/12/23 21:38:00
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GXM31CC71C226ME11K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供高效率和低导通电阻特性，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
其封装形式紧凑，具有出色的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。同时，该芯片具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，可有效降低开关损耗。
型号：GXM31CC71C226ME11K
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
总电容(Ciss)：3000pF
工作温度范围：-55°C至+175°C
GXM31CC71C226ME11K 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效能电力电子设备。
3. 高电流承载能力（Id可达110A），确保在大负载条件下依然表现优异。
4. 采用先进封装技术，优化热传导路径以增强散热性能。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种极端环境下的应用需求。
6. 内置ESD保护功能，提高产品可靠性与耐用性。
这款功率MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流及主开关管。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于降压或升压电路。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备中的功率转换模块。
GXM31CC71C226ME12K, IRF3710, FDP16N60
