时间：2025/5/7 13:11:13
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15N65是一种N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。其耐压值高达650V，能够承受较高的电压波动，同时具备较低的导通电阻，从而提高了效率并降低了功率损耗。
该器件具有快速开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效率和可靠性的电力电子应用中。由于其出色的性能，15N65在工业控制、消费类电子产品以及汽车电子领域均得到了广泛应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
栅源开启电压：4V~8V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃~175℃
15N65的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的应用；
2. 低导通电阻，减少了导通时的功率损耗，提高了整体效率；
3. 快速开关速度，使得器件能够在高频条件下高效运行；
4. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性；
5. 良好的热稳定性，确保了长时间工作的稳定性和安全性；
6. 小型封装选项，便于在紧凑设计中使用。
15N65主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关；
2. 各类电机驱动电路；
3. 逆变器和变频器；
4. 汽车电子系统中的负载切换；
5. 工业自动化设备中的功率控制；
6. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
15N60,
IRF640,
FDP15N65,
STP15NK65Z
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