时间：2025/7/12 2:47:27
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GXM2192C1H752JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，在保证高效能的同时，具备较低的导通电阻和快速的开关速度。
其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和电气特性，适合高电流密度的应用环境。
型号：GXM2192C1H752JA02D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：75V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：100A
导通电阻Rds(on)：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷Qg：80nC
输入电容Ciss：4800pF
功耗Pd：360W
工作温度范围：-55℃至+175℃
这款MOSFET芯片具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关过程中的能量损失。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. 增强的热稳定性设计，确保在高温环境下可靠运行。
5. 良好的短路耐受能力，提升系统的安全性和可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
GXM2192C1H752JA02D适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器中的功率调节。
5. 通信基站中的DC-DC转换模块。
6. 高效节能型家电产品中的功率管理部分。
GXM2192C1H752JA01D, IRF7833PBF, FDP5570N
