时间：2025/7/1 16:09:37
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GXM1881X0J303JA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统效率。
其封装形式和电气性能经过优化，适用于工业、汽车和消费电子领域的多种场景。此外，该芯片具有出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持高效运行。
型号：GXM1881X0J303JA02D
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：90A
导通电阻(RDS(on))：3mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷(Qg)：85nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，满足大功率需求。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
5. 优异的热性能，确保在高温环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 提供严格的筛选选项，特别适用于汽车级和工业级应用。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的功率控制
4. 汽车电子系统的电池管理
5. LED 照明驱动电路
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节
GXM1881X0J302KA02D, IRF540N, FDP5500NL
