GX3290-CBE3 时间：2025/8/5 6:54:06 阅读：28

GX3290-CBE3是一款由Vishay Siliconix设计的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的TrenchFET?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力。该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。其封装形式为8-PowerTDFN，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：17.8mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：4.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-PowerTDFN

特性

GX3290-CBE3采用了先进的TrenchFET?技术，这使其在同类产品中具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了能效。其低RDS(on)特性在高电流应用中尤为关键，可显著减少发热，提高系统可靠性。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　该MOSFET的封装形式为8-PowerTDFN，具有优良的热管理性能，能够有效散热，从而在高负载条件下保持稳定工作。其紧凑的封装设计也使其适用于空间受限的电路板布局。
　　此外，GX3290-CBE3具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发性电压尖峰或感性负载切换时提供更高的安全裕量，从而增强系统的稳定性与耐用性。其高栅极电压容限（20V）也使其适用于各种栅极驱动电路设计，提供了更大的设计灵活性。

应用

该器件适用于多种电源管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。由于其高频开关能力和低导通损耗，GX3290-CBE3特别适合用于高效率的电源转换模块，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、LED驱动器和工业自动化设备中的功率控制单元。此外，其优异的热性能也使其适用于高功率密度设计和紧凑型电子产品。