CDR31BP3R6BCZMAT 是一种贴片式陶瓷电容器,属于 C0G(NP0)介质类型。该型号的电容器以其高稳定性和低损耗特性著称,适用于高频电路和精密信号处理场景。C0G 介质材料确保其在宽温度范围内具有极小的容量变化,非常适合对温度稳定性要求较高的应用。这种电容器采用多层陶瓷结构(MLCC),能够提供高可靠性和优良的电气性能。
该型号通常用于滤波、耦合、旁路、去耦等场景,尤其是在射频和无线通信领域中表现优异。
容量:3.3pF
额定电压:50V
容差:±0.2pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装尺寸:0402英寸(1.0mm x 0.5mm)
介质材料:C0G(NP0)
Q 值:高于 1000(在 1MHz 下)
频率范围:DC 至 GHz
CDR31BP3R6BCZMAT 的主要特点是其采用了 C0G 介质材料,这使得它在 -55℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内保持了极高的容量稳定性,容量漂移小于 ±30ppm/℃。此外,该电容器还具备超低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其能够在高频条件下表现出色。
该型号使用多层陶瓷技术制造,具有良好的抗机械应力能力,并且在焊接过程中能够承受多次回流焊而不影响性能。此外,其小型化的封装设计非常适合现代高密度电路板布局需求。
由于其高 Q 值和低损耗角正切(tanδ),CDR31BP3R6BCZMAT 在高频振荡器、滤波器以及射频电路中的表现尤为突出。
CDR31BP3R6BCZMAT 主要应用于高频电子设备中,例如:
1. 射频模块和无线通信系统中的滤波和匹配网络。
2. 高精度振荡器和时钟电路中的谐振元件。
3. 高速数据传输线路中的信号耦合与隔离。
4. 精密模拟电路中的电源去耦和噪声抑制。
5. 医疗设备、航空航天和军工领域的高可靠性电路设计。
由于其小型化和高性能特点,该型号也广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
C0G-NP0-3.3pF-50V-0402, GRM033R71C3F000JT01, KEM_C0G_330-L