时间：2025/6/6 18:10:38
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CDR31BP3R6BCZMAT 是一种贴片式陶瓷电容器，属于 C0G（NP0）介质类型。该型号的电容器以其高稳定性和低损耗特性著称，适用于高频电路和精密信号处理场景。C0G 介质材料确保其在宽温度范围内具有极小的容量变化，非常适合对温度稳定性要求较高的应用。这种电容器采用多层陶瓷结构（MLCC），能够提供高可靠性和优良的电气性能。
该型号通常用于滤波、耦合、旁路、去耦等场景，尤其是在射频和无线通信领域中表现优异。
容量：3.3pF
额定电压：50V
容差：±0.2pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装尺寸：0402英寸（1.0mm x 0.5mm）
介质材料：C0G（NP0）
Q 值：高于 1000（在 1MHz 下）
频率范围：DC 至 GHz
CDR31BP3R6BCZMAT 的主要特点是其采用了 C0G 介质材料，这使得它在 -55℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内保持了极高的容量稳定性，容量漂移小于 ±30ppm/℃。此外，该电容器还具备超低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其能够在高频条件下表现出色。
该型号使用多层陶瓷技术制造，具有良好的抗机械应力能力，并且在焊接过程中能够承受多次回流焊而不影响性能。此外，其小型化的封装设计非常适合现代高密度电路板布局需求。
由于其高 Q 值和低损耗角正切（tanδ），CDR31BP3R6BCZMAT 在高频振荡器、滤波器以及射频电路中的表现尤为突出。
CDR31BP3R6BCZMAT 主要应用于高频电子设备中，例如：
1. 射频模块和无线通信系统中的滤波和匹配网络。
2. 高精度振荡器和时钟电路中的谐振元件。
3. 高速数据传输线路中的信号耦合与隔离。
4. 精密模拟电路中的电源去耦和噪声抑制。
5. 医疗设备、航空航天和军工领域的高可靠性电路设计。
由于其小型化和高性能特点，该型号也广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
C0G-NP0-3.3pF-50V-0402, GRM033R71C3F000JT01, KEM_C0G_330-L
