时间：2025/8/5 23:42:07
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GWM160-0055P3是一款由GaN Systems公司制造的氮化镓（GaN）功率晶体管，专为高效能、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用GS-HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，非常适合用于电源转换器、DC-DC变换器、无线充电系统以及高频率逆变器等应用。GWM160-0055P3的封装形式为表面贴装（Surface Mount），便于在高密度PCB设计中使用，并提供良好的热管理和可靠性。
类型：氮化镓功率晶体管
最大漏极电流：55 A
最大漏极-源极电压：160 V
导通电阻（Rds(on)）：7 mΩ
栅极电荷（Qg）：10 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：表面贴装（SMT）
GWM160-0055P3具备多项先进的技术特性，使其在高功率密度和高效率的应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（7 mΩ）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其次，其低栅极电荷（10 nC）和快速开关能力使其在高频操作下仍能保持较低的开关损耗，适用于高频率功率转换器。
此外，GWM160-0055P3采用了GaN Systems独有的封装技术，不仅提高了器件的热传导性能，还增强了机械稳定性和可靠性。该器件支持并联使用，便于扩展功率容量，适用于大功率系统设计。
在可靠性方面，GWM160-0055P3通过了严格的工业级测试，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种严苛环境，如工业自动化、通信电源和新能源系统等。
GWM160-0055P3广泛应用于高效能电力电子系统中，如高密度电源模块、服务器电源、电动车充电系统、太阳能逆变器、无线充电设备以及高频DC-DC转换器等。其优异的开关性能和低导通损耗使其成为替代传统硅基MOSFET的理想选择，尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。此外，该器件也可用于电机驱动、不间断电源（UPS）以及储能系统中，帮助实现更高效的能量转换和管理。
GS66508T, EPC2052, LMG5200
