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GWM160-0055P3 发布时间 时间:2025/8/5 23:42:07 查看 阅读:45

GWM160-0055P3是一款由GaN Systems公司制造的氮化镓(GaN)功率晶体管,专为高效能、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用GS-HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)技术,具有极低的导通电阻和开关损耗,非常适合用于电源转换器、DC-DC变换器、无线充电系统以及高频率逆变器等应用。GWM160-0055P3的封装形式为表面贴装(Surface Mount),便于在高密度PCB设计中使用,并提供良好的热管理和可靠性。

参数

类型:氮化镓功率晶体管
  最大漏极电流:55 A
  最大漏极-源极电压:160 V
  导通电阻(Rds(on)):7 mΩ
  栅极电荷(Qg):10 nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:表面贴装(SMT)

特性

GWM160-0055P3具备多项先进的技术特性,使其在高功率密度和高效率的应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(7 mΩ)可显著降低导通损耗,从而提高系统效率。其次,其低栅极电荷(10 nC)和快速开关能力使其在高频操作下仍能保持较低的开关损耗,适用于高频率功率转换器。
  此外,GWM160-0055P3采用了GaN Systems独有的封装技术,不仅提高了器件的热传导性能,还增强了机械稳定性和可靠性。该器件支持并联使用,便于扩展功率容量,适用于大功率系统设计。
  在可靠性方面,GWM160-0055P3通过了严格的工业级测试,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其适用于各种严苛环境,如工业自动化、通信电源和新能源系统等。

应用

GWM160-0055P3广泛应用于高效能电力电子系统中,如高密度电源模块、服务器电源、电动车充电系统、太阳能逆变器、无线充电设备以及高频DC-DC转换器等。其优异的开关性能和低导通损耗使其成为替代传统硅基MOSFET的理想选择,尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。此外,该器件也可用于电机驱动、不间断电源(UPS)以及储能系统中,帮助实现更高效的能量转换和管理。

替代型号

GS66508T, EPC2052, LMG5200

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GWM160-0055P3参数

  • 标准包装20
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳ISOPLUS-DIL?
  • 供应商设备封装ISOPLUS-DIL?
  • 包装管件