时间：2025/9/2 4:27:28
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H5TQ1G43BFR-H9C是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）产品系列。该芯片主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和体积有较高要求的应用场景。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：x4, x8, x16
电源电压：2.3V - 3.6V（VDD），1.65V - 2.0V（VDDQ）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
引脚数：54引脚
数据速率：166MHz（可支持更高频率）
存储结构：DRAM
低功耗设计：适用于移动设备和嵌入式应用，优化了能耗表现。
高性能：支持166MHz的时钟频率，提供快速的数据存取能力。
高集成度：单颗芯片提供1Gb的存储容量，满足多种应用需求。
宽电压范围：支持2.3V至3.6V主电源和1.65V至2.0V I/O电源，增强了兼容性。
工业级温度范围：可在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，适应性强。
TSOP封装：提供良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
移动电话和平板电脑
嵌入式控制系统
消费类电子产品
工业自动化设备
网络通信设备
手持式测试与测量仪器
IS42S16400J-6T、MT48LC16M1A2B4-6A、EM638325TS-6G
