GW6DMC30XF6 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc.(GMT)制造的 MOSFET 驱动器集成电路,专为高效能电源转换应用而设计。该芯片采用了先进的双通道栅极驱动技术,能够提供高驱动电流以快速切换功率 MOSFET 或 IGBT,从而减少开关损耗并提高系统效率。其工作电压范围宽,适用于多种高功率应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池充电器等。
类型:双通道高压高速MOSFET驱动器
工作电压:10V 至 20V
输出电流:每通道最高可达 4A(峰值)
传输延迟:典型值 9ns
上升/下降时间:典型值 3ns(20% - 80%)
最大工作频率:支持 MHz 级别开关频率
输入逻辑类型:兼容CMOS/TTL
封装形式:DFN-10 或 SOP-10
GW6DMC30XF6 采用了 GMT 的高压工艺技术,具备出色的抗干扰能力和稳定性,特别适用于高频率和高效率的功率变换场合。其内置的死区时间控制功能可以有效防止上下桥臂直通现象,从而提高系统的可靠性。此外,该芯片具有低静态电流、宽工作电压范围以及优异的热稳定性,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
该驱动器的两个通道分别独立控制,支持半桥或全桥拓扑结构,并且具备欠压锁定保护(UVLO)功能,当供电电压低于安全阈值时会自动关闭输出,防止功率器件工作在非理想状态。同时,芯片内部集成了高速隔离电路,确保输入与输出之间的电气隔离,提高安全性。
由于其高速特性和低传播延迟,GW6DMC30XF6 特别适合用于高频变换器设计,例如 LLC 谐振转换器、同步整流电路等,能够显著提升整体系统性能和效率。
该芯片广泛应用于各种高性能电源系统中,包括但不限于:高频开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率驱动模块。由于其高集成度和可靠性,也适用于需要紧凑设计和高效率转换的通信设备、新能源汽车充电模块以及光伏逆变器等。
UCC27532, LM5114, IRS2004, ADuM4223