GW5BTJ50K03 是一款由东芝(Toshiba)制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)型号,广泛用于高功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、电机控制、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备等应用场景。该MOSFET通常以TO-252(DPAK)封装形式提供,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):100A
最大漏极电压(Vds):500V
最大栅极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.03Ω(典型值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
GW5BTJ50K03 采用先进的沟槽式结构设计,使其在导通状态下具有极低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件具有高耐压特性,漏极与源极之间的最大电压可达500V,适合用于高压应用。其高电流承载能力(100A)使得它在高功率开关电路中表现出色。
该MOSFET还具有优异的热稳定性和过热保护能力,能够在高温环境下稳定运行,提高了器件的可靠性。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和逆变器系统。
由于采用TO-252(DPAK)封装,该器件具有良好的散热性能,并且兼容标准的表面贴装工艺,便于在PCB上安装和集成。该封装还具有较小的体积,适合用于空间受限的设计。
GW5BTJ50K03 主要应用于高功率电子系统中,例如:
? 电源管理系统(如服务器电源、工业电源)
? 电机驱动器和逆变器(如电动汽车、工业自动化设备)
? 电池管理系统(BMS)
? DC-DC转换器和AC-DC电源适配器
? 工业控制设备和智能电网系统
? 高压负载开关和功率调节器
IXFH100N50P, IRFP460LCSTRL