类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

GTCS28-601M-R10-2 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压（Vds）高达600V，使其适用于高压电源转换应用，如AC-DC适配器、LED驱动电源和工业控制系统。其N沟道结构提供了良好的开关性能，能够在高频下稳定工作，降低开关损耗，提高系统效率。
　　该器件的导通电阻（Rds(on)）最大为0.65Ω，在同类产品中表现出色，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，其TO-220封装形式具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，从而保证器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　GTCS28-601M-R10-2 的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极电压耐受能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂度。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境，展现出优异的热稳定性和可靠性。
　　该MOSFET还具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其内部结构优化了电容特性（如输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss），从而降低了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。

GTCS28-601M-R10-2 主要应用于各类开关电源（SMPS）、LED驱动电源、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，特别适用于需要高效能、高稳定性的电源管理系统。在LED照明应用中，该器件可作为主开关元件用于恒流控制和功率调节，确保光源稳定发光并延长使用寿命。在工业控制系统中，它可作为功率开关用于电机驱动、继电器控制或传感器供电模块。此外，GTCS28-601M-R10-2 也适用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块等对能效和可靠性要求较高的场合。

GTCS28-601M-R10-2 可以考虑以下替代型号：STP10NM60ND（STMicroelectronics）、IRFBC40（Infineon）、FQP10N60C（Fairchild）、TK10A60D（Toshiba）等。这些型号在电气特性、封装形式和应用场景上具有较高的兼容性，但使用前建议详细查阅数据手册以确保匹配设计需求。