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GT52N10D5 发布时间 时间:2025/7/9 16:27:55 查看 阅读:4

GT52N10D5是一款基于GaN(氮化镓)技术的高效功率转换芯片,主要应用于高频开关电源、快充适配器和DC-DC转换器等场景。该芯片集成了增强型GaN FET与驱动电路,能够显著提高功率密度并降低系统损耗。其设计目标是满足现代消费电子对小型化和高性能的需求。
  该型号中的数字和字母代表了不同的特性:GaN技术(G)、增强型器件(T)、52V额定电压(52)、低导通电阻(N10),以及封装形式(D5)。整体而言,这是一款高度集成且优化的功率器件。

参数

额定电压:52V
  导通电阻:10mΩ
  最大漏极电流:15A
  栅极驱动电压:6V/0V
  开关频率:最高可达2MHz
  封装形式:DFN5x6
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

GT52N10D5采用了先进的GaN技术,具备以下特点:
  1. 高效性能:由于GaN材料的高电子迁移率和宽带隙特性,该芯片能够在高频下保持较低的开关损耗。
  2. 小型化设计:得益于高频操作能力,使用此芯片可以减少外部无源元件体积,从而缩小整体解决方案尺寸。
  3. 快速动态响应:内部优化的驱动电路确保了快速开关速度和稳定的性能。
  4. 热管理优异:低导通电阻配合高效的散热路径,使得热耗散得到良好控制。
  5. 易于设计:外围电路简单,减少了开发难度和时间成本。
  此外,GT52N10D5还具有出色的可靠性和耐用性,在各种应用场景中表现稳定。

应用

这款芯片广泛适用于需要高效功率转换的场合,包括但不限于:
  1. USB PD快充适配器
  2. 小型化开关电源(SMPS)
  3. 消费类电子产品中的DC-DC转换器
  4. LED驱动电源
  5. 工业设备中的辅助电源模块
  6. 笔记本电脑和其他便携式设备的充电解决方案
  其高频特性和高效率使其成为现代电源设计的理想选择。

替代型号

GT52N15D5, GS66508T, EPC2016C

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GT52N10D5参数

  • 现有数量15,096现货
  • 价格1 : ¥12.40000剪切带(CT)5,000 : ¥5.48006卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)71A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)44.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2626 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)79W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5.2x5.86)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN