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GT50N322A 发布时间 时间:2025/7/22 19:37:16 查看 阅读:4

GT50N322A是一款由东芝(Toshiba)推出的高耐压、大电流的双极型晶体管(BJT),专为高功率开关应用设计。该晶体管采用先进的硅外延平面技术,具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于电源转换、电机控制以及工业自动化系统等场景。

参数

类型:NPN型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):400V
  集电极电流(IC):50A
  功率耗散(PD):150W
  增益带宽积(fT):8MHz
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

GT50N322A具有优异的高电压和大电流处理能力,能够满足高功率应用的需求。其高耐压特性(VCEO为400V)使其能够在高压环境下稳定工作,同时50A的集电极电流能力保证了其在高负载条件下的性能。
  该晶体管的热稳定性设计使得其在高温条件下仍能保持良好的工作状态,减少了因过热导致的性能下降或失效的风险。此外,GT50N322A的封装形式(TO-247)便于安装和散热,提高了整体系统的可靠性和耐用性。
  它的增益带宽积为8MHz,表明该晶体管在中高频范围内仍能保持较高的放大能力,适合用于开关频率较高的应用。同时,其快速的开关特性降低了开关损耗,提高了系统的整体效率。
  此外,GT50N322A的结构设计和材料选择确保了其具有较长的使用寿命和良好的抗过载能力,适用于要求高可靠性的工业和电力电子设备。

应用

GT50N322A广泛应用于电力电子设备中,如开关电源、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高耐压和大电流特性使其成为高功率开关应用的理想选择,尤其适合用于需要频繁开关操作的场合。此外,该晶体管也可用于音频放大器和其他需要高功率输出的电子设备。

替代型号

GT50N321A、GT50N323A、2SC5200、MJ15003

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GT50N322A参数

  • 现有数量86现货
  • 价格1 : ¥38.00000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1000 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.8V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值156 W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷-
  • 25°C 时 Td(开/关)值-
  • 测试条件-
  • 反向恢复时间 (trr)800 ns
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P(N)