型号：2SK2643
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID）：1.0 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：4.0 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值7.5 Ω（在VGS = 10 V时）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约35 pF（在VDS = 25 V，f = 1 MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：约15 pF
　　反向传输电容（Crss）：约5 pF
　　功耗（PD）：50 W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ~ +150 ℃
　　封装：SOT-223

2SK2643具备多项优异的电气与物理特性，使其成为中高压功率开关应用中的可靠选择。首先，该器件具有高达500V的漏源击穿电压，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种离线式电源拓扑结构，如反激式、正激式或LLC谐振转换器。其次，其导通电阻在VGS=10V时典型值仅为7.5Ω，这一低RDS(on)特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其在轻载或中等负载条件下表现突出。
　　该MOSFET采用了东芝优化的平面栅极结构技术，确保了器件在高频开关操作中的稳定性与一致性。其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）减少了驱动电路所需的能量，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动芯片或简化驱动电路设计。这对于追求高效率和小型化的现代电源系统至关重要。
　　2SK2643的SOT-223封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能。通过将散热片连接至PCB上的大面积铜箔，可以有效传导和散发工作过程中产生的热量，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。该封装也支持自动化贴片生产，适用于大规模工业化制造流程。
　　此外，该器件拥有较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分汽车电子应用场景。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽不推荐作为主整流元件使用，但在某些拓扑中可提供必要的续流路径。
　　总体而言，2SK2643凭借其高耐压、低导通电阻、良好热性能和紧凑封装，在中小功率电源设计中表现出色，是兼顾性能、成本与可靠性的优选器件之一。

2SK2643主要应用于各类中低功率开关模式电源系统中。它常见于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品的电源模块中，用于实现高效的直流电压变换与稳压功能。由于其500V的高耐压能力，特别适合用于通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的离线式反激转换器中作为主开关管使用。
　　在DC-DC转换器中，2SK2643可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构，尤其是在输出功率在10W至50W之间的应用中表现良好。其快速开关特性和低栅极驱动需求使其非常适合高频工作的电源设计，有助于减小磁性元件和滤波电容的体积，进而实现电源的小型化与轻量化。
　　此外，该器件也被广泛应用于工业控制设备中的继电器驱动、电磁阀控制及小型电机驱动电路中，作为高速开关元件使用。在这些应用中，2SK2643能够承受感性负载带来的瞬态高压冲击，并通过其内部体二极管提供续流通道，保护电路免受反电动势损害。
　　在通信设备电源模块中，2SK2643可用于隔离式电源的次级侧同步整流或初级侧开关控制，提升整体电源效率。同时，由于其SOT-223封装易于散热设计，也可用于紧凑型嵌入式系统或便携式设备中，满足对空间和热管理的双重需求。
　　总之，2SK2643凭借其可靠的性能和灵活的适用性，已成为众多中小功率电力电子系统中不可或缺的关键元器件。

2SK2644, 2SK2645, FJP5026, MJE13005