时间：2025/8/17 16:21:05
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GT48360-L-2是一款由Giantec Semiconductor制造的功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品。GT48360-L-2采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值16mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
GT48360-L-2具有极低的导通电阻，确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。其高耐压能力（40V）使其适用于各种电源应用，包括DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。器件采用先进的沟槽MOSFET技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。此外，该器件具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，确保长期可靠运行。TO-263封装提供良好的散热性能，同时便于安装和维护。GT48360-L-2还具备高抗雪崩能力和优异的短路耐受能力，进一步提升了器件的稳定性和耐用性。这些特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
GT48360-L-2广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及各种工业和消费类电子设备。其高效率和高可靠性使其在高功率密度设计中尤为适用，例如在服务器电源、电信设备、电动车充电器和可再生能源系统中。
SiHF60N40E、IRF3205、FDP6030L、FDMS86180
