GT4123BCDA 时间：2025/8/5 0:37:41 阅读：15

GT4123BCDA 是一款由Giantec Semiconductor公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用。由于其优越的导通特性和开关性能，GT4123BCDA被广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电器、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用SOP-8封装，适用于表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和电流承载能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　功耗（PD）：4.8W
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：SOP-8

特性

GT4123BCDA具备极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其RDS(on)值在VGS=10V时仅为5.3mΩ，使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的温升，从而提升整体可靠性。此外，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作。器件的封装形式为SOP-8，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型高密度PCB设计。GT4123BCDA还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。此外，其内部结构优化设计，具有较强的抗雪崩能力和过载电流承受能力，适合在恶劣工况下稳定运行。
　　为了确保长期使用的稳定性，GT4123BCDA通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏测试、高温存储测试和湿度敏感等级测试，适用于工业级和消费类电子产品。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色电子制造。

应用

GT4123BCDA广泛应用于多种功率电子系统中，例如同步整流型DC-DC转换器、电池充电器、电源管理系统、电机驱动器、负载开关电路以及LED照明驱动模块等。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高效能、高功率密度的电源设计中。在服务器、通信设备、笔记本电脑、平板电脑以及便携式电子设备中，GT4123BCDA常被用作主功率开关或同步整流元件。