时间：2025/8/29 14:42:34
阅读：11
GT3020/Q2C-B5063AC2CB2/2T 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，具有高效率、高可靠性和良好的热稳定性。适用于工业电机驱动、逆变器、UPS系统以及新能源汽车等领域。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：30A
导通压降（VCE_sat）：约1.55V（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：双列直插式陶瓷绝缘封装
短路耐受能力：支持
栅极驱动电压：+15V/-15V
功率耗散：典型值100W
GT3020/Q2C-B5063AC2CB2/2T 模块采用先进的IGBT芯片技术，具备出色的导通和开关性能，能有效降低功率损耗。其陶瓷绝缘封装结构提供了优异的散热能力和电气隔离效果，适用于需要高可靠性的应用环境。模块内置快速恢复二极管（FRD），与IGBT芯片集成在一起，提高了整体效率并减少了外部元件数量。此外，该模块具备较强的短路保护能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。
该模块的栅极驱动设计优化，能够减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性和可靠性。同时，其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，适用于高密度功率电子设备的设计。GT3020/Q2C-B5063AC2CB2/2T 模块在设计上充分考虑了工业应用的需求，具备较长的使用寿命和良好的抗热疲劳能力，适合长期运行的工业设备使用。
GT3020/Q2C-B5063AC2CB2/2T 主要应用于工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率电子设备中。其高耐压、高电流能力以及良好的热管理特性使其成为工业自动化、新能源和电力电子系统中不可或缺的核心功率器件。
GT30J323、GT30K223、STGD30HF120DF
