时间：2025/4/29 9:15:10
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DMN2075U-7是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用小型DFN3030-8封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。DMN2075U-7具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关应用中提供卓越的性能，同时其出色的热特性和电气特性使其成为便携式电子设备、电源管理模块和负载开关的理想选择。
该器件设计用于在较低电压条件下工作，并支持快速开关操作，从而减少能量损耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：6.5nC（典型值）
总电容：150pF（典型值）
工作结温范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN3030-8
DMN2075U-7具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关模式电源和DC-DC转换器应用。
3. 小型DFN3030-8封装，节省PCB空间并改善热性能。
4. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 良好的热稳定性和电气稳定性，确保在恶劣环境下的长期可靠性。
DMN2075U-7广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类消费类电子产品中的电源管理和电池保护电路。
3. DC-DC转换器和降压稳压器设计。
4. 多功能开关和同步整流电路。
5. 电机驱动和音频放大器中的功率级控制。
6. 通用功率转换和信号调节任务。
DMN2076U-7
DMN2077U-7
DMN2078U-7
