类型：NPN双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极电流（IC）：15A
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：100V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：100V
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-218 或 TO-218AB
　　增益（hFE）：约50至150（根据工作电流不同）
　　频率响应：适用于低频到中频放大应用

GT215Z 具备出色的电流承载能力和电压耐受性，使其适用于高功率应用场景。其低饱和压降（VCE(sat)）特性有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该晶体管采用高稳定性的硅材料制造，具有良好的热管理和长期可靠性。GT215Z 还具备较高的电流增益（hFE），使得在放大电路中能够实现较高的信号增益。其封装设计有助于有效散热，适用于需要长时间运行的工业和电源管理系统。该晶体管还具备良好的短路和过热保护能力，提高了整体电路的稳定性与安全性。
　　在制造工艺上，GT215Z 采用先进的扩散技术和封装设计，确保其在高电流和高温度环境下仍能保持稳定的性能。这使得该器件非常适合用于电源调节器、电机驱动、开关电源以及各种功率放大电路中。此外，其封装形式（如TO-218）便于安装在散热片上，进一步增强了其热管理能力，确保长时间高负载工作的稳定性。

GT215Z 常用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、功率放大器、工业控制设备、电源管理模块、逆变器、电池充电器以及汽车电子系统中的功率控制单元。该晶体管也可用于音频放大器的输出级，提供高保真音频信号放大。此外，GT215Z 在需要高电流开关和功率调节的自动化系统中也有广泛应用。

MJ15003G, MJ15024G, 2N6292