时间：2025/9/4 12:53:37
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GT17VB-8DP-DS 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于需要高效能功率转换的工业设备和电力电子系统中。该模块设计用于高可靠性和高效能的操作，适用于逆变器、电机驱动器和电源系统等应用场景。
集电极-发射极电压（Vce）：1700V
集电极电流（Ic）：80A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：6μs（典型值）
封装类型：双列直插式封装（DIP）
GT17VB-8DP-DS 模块采用先进的IGBT芯片技术，具有低导通压降和较低的开关损耗，从而提高了整体效率。其高短路耐受能力确保在突发故障情况下仍能保持稳定运行，提升了系统的可靠性。此外，该模块的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能，能够在恶劣的工业环境中提供长期稳定的性能。
该模块的另一个显著特点是其紧凑的封装尺寸，使得在有限空间内的安装更加方便，同时降低了系统的整体重量和体积。GT17VB-8DP-DS 还具有优异的抗热疲劳性能，能够承受频繁的温度变化，适用于需要频繁开关操作的应用场景。
此外，该模块的内部结构设计优化了电流分布，减少了电磁干扰（EMI），从而提高了系统的电磁兼容性（EMC）。这对于在复杂电磁环境中运行的工业设备尤为重要。
GT17VB-8DP-DS 主要用于各种工业电力电子设备，包括变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机和太阳能逆变器等。它特别适合需要高电压和大电流处理能力的应用，同时对系统的可靠性和效率有较高要求的场合。该模块在电机控制、电力调节和能量转换系统中表现出色，能够满足现代工业对高效能功率器件的需求。
GT17VB-8DP-DT, GT17VB-8DP-D
