时间：2025/6/16 16:07:35
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CGA3E2NP02A180J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用了先进的沟槽式工艺设计，具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能。
这款器件能够显著降低系统功耗并提升整体效率，适用于工业、汽车及消费电子等多种场景。
类型：MOSFET
封装形式：TO-263
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：1.8mΩ
ID（连续漏极电流）：80A
Qg（栅极电荷）：54nC
BVDSS（击穿电压）：60V
VGSS（栅源极电压）：±20V
Tj（工作结温范围）：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，仅为 1.8mΩ，有助于减少导通损耗，从而提高系统的整体效率。
2. 高电流处理能力，最大支持 80A 的连续漏极电流。
3. 先进的封装技术，确保良好的散热性能。
4. 栅极电荷较低，可实现更快的开关速度，进一步降低开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛环境。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源 (SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 汽车电子系统中的负载切换
4. 工业设备中的功率管理
5. 太阳能逆变器中的功率转换
6. 各类高效能 DC-DC 转换器
CGA3E2NP02A180J080AB, CGA3E2NP02A180J080AC
