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GQM1555C2A360FB01D 发布时间 时间:2025/7/1 13:01:41 查看 阅读:6

GQM1555C2A360FB01D 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能量转换和控制的场景。
  该型号属于沟道型 MOSFET,采用先进的制程技术,具备低导通电阻、高效率和快速开关特性。其设计使得它能够在高频工作条件下保持较低的功耗,并且适合用于各种工业和消费类电子设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:2420pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

GQM1555C2A360FB01D 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能确保了在高频应用中的出色表现,减少了开关损耗。
  3. 高电流承载能力使其适用于大功率应用场景。
  4. 内部集成的 ESD 保护电路增强了器件的可靠性。
  5. 采用紧凑型封装设计,节省 PCB 空间,同时提升散热性能。
  6. 宽泛的工作温度范围支持其在极端环境下稳定运行。

应用

GQM1555C2A360FB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器。
  2. DC-DC 转换器及逆变器。
  3. 电机驱动与控制。
  4. 工业自动化设备中的功率管理。
  5. 汽车电子系统的负载切换。
  6. 其他需要高效率功率转换的应用场景。

替代型号

GQM1555C2A360FB01E, GQM1555C2A360FB01F

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GQM1555C2A360FB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥1.00158卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容36 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-