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GT17V-10DS-2C 发布时间 时间:2025/9/5 0:13:28 查看 阅读:60

GT17V-10DS-2C 是一款由Toshiba(东芝)公司生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于需要高效能电力转换的工业设备中。该模块集成了IGBT芯片和反向并联二极管,具有高耐压、低导通压降和快速开关特性,适合用于逆变器、变频器和电机驱动等高功率应用场景。IGBT模块的设计旨在优化能量效率和减少功率损耗,同时提供可靠的性能和较长的使用寿命。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):1700V
  额定集电极电流(IC):10A
  短路耐受能力:有
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:双列直插式(Dual IGBT)
  热阻(Rth):根据散热条件变化
  短路电流能力:根据应用条件变化
  栅极驱动电压:+15V/-15V

特性

GT17V-10DS-2C 模块具备多项高性能特性,首先是其高耐压能力,VCES可达1700V,这使其适用于中高压电力电子设备。其次,该模块的额定集电极电流为10A,能够在中等功率应用中提供稳定可靠的电流传输能力。此外,该模块具备短路耐受能力,可以在短时间内承受短路电流,提高了系统的可靠性和安全性。
  在热性能方面,GT17V-10DS-2C 的工作温度范围较宽,从-40°C到+150°C,适应各种恶劣的工作环境。其热阻设计合理,有助于模块在高负载条件下保持较低的温度上升,从而延长使用寿命。
  该模块采用双列直插式(Dual IGBT)封装形式,内部集成了IGBT芯片和反向并联二极管,简化了外部电路设计,并提高了系统的紧凑性和可靠性。栅极驱动电压为+15V/-15V,确保IGBT在开关过程中具有稳定的导通和关断状态,减少开关损耗。
  此外,GT17V-10DS-2C 在设计上优化了导通压降和开关损耗,从而提高了整体的能量转换效率。该模块还具有良好的电磁兼容性(EMC),能够减少高频开关带来的干扰,适用于对电磁干扰要求较高的工业环境。

应用

GT17V-10DS-2C 广泛应用于多种电力电子设备中,尤其适用于需要高效能功率转换的工业系统。常见的应用包括中低压变频器、伺服驱动器、工业电机控制、不间断电源(UPS)、电焊机和感应加热设备等。由于其具备较高的耐压能力和良好的热稳定性,该模块也常用于太阳能逆变器和风力发电变流器等可再生能源系统中。
  在变频器和伺服驱动系统中,GT17V-10DS-2C 可用于构建三相逆变桥,将直流电转换为可控的交流电以驱动电机,实现精确的速度和位置控制。在UPS系统中,该模块可用于DC-AC逆变部分,确保在市电中断时能够迅速切换到电池供电并保持输出电压稳定。
  此外,该模块也适用于各类工业电源设备,如激光电源、电镀电源和高频加热电源等,其优异的开关性能和稳定的工作特性使其成为高可靠性电源系统的重要组成部分。

替代型号

SKM10GB170D, FGA25N170D, FF10R12RT4_HB

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GT17V-10DS-2C参数

  • 制造商Hirose Electric
  • 产品Insulators
  • 系列GT17
  • 位置数量10
  • 型式Female
  • 安装风格Wire
  • 颜色Gray
  • 外壳材料Polybutylene Terephthalate (PBT)