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GT17HNR-4DS-HU 发布时间 时间:2025/9/4 15:29:59 查看 阅读:27

GT17HNR-4DS-HU 是一款由 Renesas Electronics 生产的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,属于功率半导体器件。IGBT 是一种结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT(双极晶体管)的低导通压降优点的混合器件,广泛用于电力电子系统中,如逆变器、电机控制、电源系统等。GT17HNR-4DS-HU 的设计目标是提供高效能、高可靠性和低损耗的功率开关特性。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(Vce):1700V
  额定集电极电流(Ic):170A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:模块型(4pin)
  导通压降(Vce_sat):约 2.1V(典型值)
  短路耐受能力:有
  栅极驱动电压范围:+15V 至 -5V
  最大工作频率:可达 50kHz
  热阻(Rth):依实际封装和散热条件而定
  短路电流能力:典型值为 340A

特性

GT17HNR-4DS-HU 是一款性能优异的 IGBT 器件,适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。其主要特性包括:
  ? 高电压和大电流能力:1700V 的阻断电压和 170A 的额定集电极电流,使其适用于中高压应用,如工业电机驱动、轨道交通牵引系统、新能源发电等。
  ? 低导通压降:Vce_sat 典型值为 2.1V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  ? 快速开关特性:支持高达 50kHz 的工作频率,适合高频逆变器和电源变换器的设计,减少磁性元件的体积和重量。
  ? 短路耐受能力:该器件具有良好的短路承受能力,可以在短时间(如 10μs)内承受高达 340A 的短路电流,提高系统的可靠性。
  ? 高温工作能力:工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,适应各种恶劣环境下的运行。
  ? 高可靠性设计:采用先进的芯片制造工艺和封装技术,确保器件在长期使用中的稳定性和耐用性。
  ? 简化栅极驱动:栅极驱动电压范围为 +15V 至 -5V,兼容标准的 IGBT 驱动器,易于集成到现有系统中。
  ? 热管理优化:封装设计考虑了良好的散热性能,确保器件在高功率运行时的稳定性。

应用

GT17HNR-4DS-HU 广泛应用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统中,典型应用包括:
  ? 工业电机驱动与变频器:用于工业自动化设备中的电机控制,提供高效能的功率开关。
  ? 轨道交通牵引系统:适用于地铁、高速列车等的牵引变流器系统,提供高可靠性和高功率密度。
  ? 新能源发电系统:如风力发电和太阳能逆变器系统,用于将直流电转换为交流电并网。
  ? 不间断电源(UPS):在 UPS 系统中用于实现高效的能量转换和稳定的电力输出。
  ? 电动汽车与充电设备:用于电动汽车的电机控制器和充电桩系统,满足高功率需求。
  ? 电力储能系统:在储能逆变器中用于能量的双向转换和管理。

替代型号

GT17HNR-4DS-HU 可以考虑的替代型号包括:GT17HNR-4DS-TS、GT17HNR-4DS-HG、GT17HLR-4DS-HU 等,这些型号在电气特性和封装形式上相似,但具体参数可能略有不同,需根据应用需求进行评估。

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GT17HNR-4DS-HU参数

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  • 系列GT17
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  • 产品状态在售
  • 配件类型体座
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