时间：2025/9/4 8:20:00
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GT17HN-4DP-2DS(B) 是一款由日本三菱电机（Mitsubishi Electric）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛用于工业电力电子设备中。该模块设计用于高功率密度和高可靠性的应用，具有优良的导通和开关性能。它采用双管封装结构，集成了两个IGBT芯片，常用于逆变器、电机驱动、UPS和变频器等设备中。
类型：IGBT模块
制造商：Mitsubishi Electric
型号：GT17HN-4DP-2DS(B)
额定集电极-发射极电压（VCES）：1700V
额定集电极电流（IC）：75A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：有
封装类型：双管封装，绝缘型
安装方式：螺钉安装
热阻（Rth）：根据散热器和安装条件不同
栅极驱动电压：±15V标准
最大工作频率：典型值可达20kHz
GT17HN-4DP-2DS(B) 模块采用了三菱电机先进的IGBT技术，具有低导通压降和低开关损耗的特点，提高了系统的整体效率。其1700V的额定电压使其适用于中高压应用场合。该模块内部集成了两个IGBT芯片，构成一个半桥结构，适用于各种逆变器拓扑结构。模块的封装设计考虑了散热和绝缘需求，确保在高功率应用中稳定运行。此外，模块具有良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。其封装结构也便于安装和散热管理，适用于多种工业应用场景。
GT17HN-4DP-2DS(B) 主要应用于需要高功率密度和可靠性的电力电子系统，如工业变频器、伺服驱动器、电动车辆电驱系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的电机控制单元。由于其良好的电气和热性能，该模块也适用于需要高频开关和高效能转换的场合。
GT17HN-4DP-2DS、GT17HN-4DP-2DC、GT17HL-4DP-2DS(B)
