时间：2025/8/9 0:56:54
阅读：35
FLD5F14CN是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的沟槽技术，能够提供出色的热性能和高可靠性。FLD5F14CN适用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：5.3A
导通电阻（Rds(on)）：0.14Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FLD5F14CN具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.14Ω，有助于降低导通状态下的功耗，从而减少发热并提高系统效率。
该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。其封装设计（TO-252）具有良好的散热能力，适用于需要高功率密度的设计。
FLD5F14CN的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到20V的Vgs，这使得它能够在多种驱动条件下保持稳定的工作状态。这种灵活性使其适用于各种电源管理应用，包括便携式设备和工业控制系统。
此外，该器件具有快速开关特性，能够在高频应用中保持较低的开关损耗。这使得它在DC-DC转换器和PWM控制电路中表现出色，能够提供更高的转换效率和更稳定的输出电压。
FLD5F14CN主要用于电源管理领域，例如在DC-DC转换器中作为开关元件，用于提高能量转换效率。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高频开关电源的理想选择。
在电机控制应用中，FLD5F14CN可用于H桥电路中的开关元件，实现电机的正反转控制和调速功能。其高可靠性和良好的热性能使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
此外，该MOSFET也可用于负载开关电路，例如在电池供电设备中控制电源的通断。其低导通电阻有助于减少电池能量的损耗，从而延长设备的使用时间。
FLD5F14CN还适用于电源管理系统中的过流保护和短路保护电路，能够快速响应异常情况并切断电源，保护系统的安全运行。
FDN335N, FDS6610A, IRF7404
