时间：2025/9/4 10:10:12
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GT16F-1P-HU(A) 是一款由 Good-Ark Semiconductor（固锝电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于如电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用场景。GT16F-1P-HU(A) 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，有助于提高系统效率并减少散热需求。其封装形式通常为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：16A（@ TC=100°C）
导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（@ VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：32nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
GT16F-1P-HU(A) 具有出色的导通和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，使电流在导通时的路径更短，从而降低电阻并提升热性能。此外，GT16F-1P-HU(A) 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压（VGS），可兼容多种驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关电源应用。TO-252（DPAK）封装具备良好的热管理能力，能够有效将热量传导至 PCB，减少对外部散热片的依赖。
此外，GT16F-1P-HU(A) 具备良好的抗静电能力（ESD）和较高的工作温度耐受能力，可在较宽的温度范围内稳定运行，适用于工业级和消费类电子设备中的功率控制。
GT16F-1P-HU(A) 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：
? 电源适配器与充电器
? DC-DC 升压/降压转换器
? 同步整流电路
? 负载开关与电源管理模块
? 电机驱动与马达控制电路
? 电池管理系统（BMS）
? 服务器与通信设备的电源模块
? 工业自动化控制设备
SiHF16N60C 、FDPF16N60 、IRF16P60C 、FDS16N60
