时间：2025/9/1 12:31:39
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GT-48006-A-P-O是一款由Giantec Semiconductor制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高效率功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺，以实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。GT-48006-A-P-O主要面向DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用领域。其封装形式为TO-252（也称为DPAK），具有良好的散热性能，适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：6mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252（DPAK）
GT-48006-A-P-O采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以实现极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高电流承载能力（高达100A）使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定运行。其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装和焊接。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），适用于多种驱动电路配置。GT-48006-A-P-O还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，确保在极端工作条件下的可靠性。
此外，GT-48006-A-P-O的设计优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。这使得该器件非常适合用于同步整流、高效率电源转换和负载开关等场景。其低栅极电荷（Qg）特性进一步提升了开关速度，减少了驱动损耗。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子设备。
GT-48006-A-P-O广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电源管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。
SiHF60N100D, IPPB90N06S4-03, IRF1010EZ
