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STB40NF10LT4 发布时间 时间:2025/6/27 10:50:36 查看 阅读:5

STB40NF10LT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  这款MOSFET的封装形式为TO-220FP,能够承受较高的电流和电压,并且在开关电源、DC-DC转换器、负载开关等领域有广泛应用。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=17ns, toff=15ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

STB40NF10LT4具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能正常工作。
  4. 强大的过流能力和鲁棒性,能够在恶劣条件下提供可靠的保护。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持表面贴装工艺。
  6. 封装坚固耐用,便于散热设计。

应用

STB40NF10LT4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 各类电池管理系统的充放电控制。
  6. 大功率LED驱动电路中的开关元件。

替代型号

IRFZ44N, STP40NF10L, FDP16N10

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STB40NF10LT4参数

  • 其它有关文件STB40NF10L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3736-6