时间：2025/6/11 18:08:30
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GSA07N65E 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-247 封装形式。该器件具有 650V 的额定漏源电压，适用于高电压应用场景。其低导通电阻和高速开关性能使其成为电源转换、电机驱动以及各种工业应用的理想选择。
该器件的典型应用包括开关电源、逆变器、DC-DC 转换器等电力电子系统中，能够提供高效的功率转换能力。
额定电压(Vds)：650V
额定电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：1.1Ω
栅极电荷(Qg)：35nC
输入电容(Ciss)：1490pF
最大功耗(Ptot)：180W
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
GSA07N65E 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为 650V，可适应高压环境，确保在恶劣条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：Rds(on) 仅为 1.1Ω，减少了导通损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关速度：具备较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss，有助于实现高频开关操作。
4. 高可靠性：通过优化设计，确保器件在高温和高压环境下具备良好的稳定性。
5. 紧凑封装：TO-247 封装提供了出色的散热性能和电气连接便利性。
GSA07N65E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效功率转换，提升系统性能。
2. 工业逆变器：支持交流电机驱动和可再生能源发电系统的功率调节。
3. DC-DC 转换器：适用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
4. UPS 不间断电源：提供可靠的能量备份功能。
5. 固态继电器：用于替代传统机械继电器，提高响应速度和寿命。
IRFP460, FQA07N65C
