GSA07N65E 是一款 N 沣道通态 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-247 封装形式。该器件具有 650V 的额定漏源电压,适用于高电压应用场景。其低导通电阻和高速开关性能使其成为电源转换、电机驱动以及各种工业应用的理想选择。
该器件的典型应用包括开关电源、逆变器、DC-DC 转换器等电力电子系统中,能够提供高效的功率转换能力。
额定电压(Vds):650V
额定电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):1.1Ω
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1490pF
最大功耗(Ptot):180W
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
GSA07N65E 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定漏源电压为 650V,可适应高压环境,确保在恶劣条件下稳定运行。
2. 低导通电阻:Rds(on) 仅为 1.1Ω,减少了导通损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关速度:具备较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss,有助于实现高频开关操作。
4. 高可靠性:通过优化设计,确保器件在高温和高压环境下具备良好的稳定性。
5. 紧凑封装:TO-247 封装提供了出色的散热性能和电气连接便利性。
GSA07N65E 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于高效功率转换,提升系统性能。
2. 工业逆变器:支持交流电机驱动和可再生能源发电系统的功率调节。
3. DC-DC 转换器:适用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
4. UPS 不间断电源:提供可靠的能量备份功能。
5. 固态继电器:用于替代传统机械继电器,提高响应速度和寿命。
IRFP460, FQA07N65C