时间：2025/8/5 11:52:03
阅读：18
GS9023BCVE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器（Asynchronous SRAM），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取的高性能系统。该器件采用512K x 18位的组织结构，总共提供9兆位的存储容量。该SRAM具有低功耗、高速访问时间和宽温度范围等优点，广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制等领域。
容量：9Mb
组织结构：512K x 18
电源电压：3.3V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-BGA
数据保持电压：2V
封装尺寸：11mm x 13mm
输入/输出电压兼容性：LVTTL/CMOS
GS9023BCVE3 是一款高性能异步SRAM，其主要特性包括高速访问时间（低至10ns），使得它能够满足高速缓存和实时数据处理应用的需求。
该器件采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了静态和动态功耗，使其适用于对功耗敏感的应用场景。
GS9023BCVE3 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境温度条件下的运行，确保在各种恶劣环境中的稳定性和可靠性。
其165-BGA封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度电路板布局。
此外，该SRAM支持LVTTL/CMOS电平输入和输出，便于与多种逻辑接口兼容，提高了系统设计的灵活性。
数据保持电压低至2V，能够在低电压状态下维持数据不丢失，适用于需要断电数据保持的应用场合。
GS9023BCVE3 广泛应用于需要高性能存储器的嵌入式系统、通信基础设施、网络交换设备、工业自动化控制系统、测试与测量设备以及高端消费电子产品。
由于其高速访问时间与低功耗特性，该SRAM非常适合用于高速缓存、帧缓冲器、数据缓冲区等需要频繁读写操作的场合。
在通信系统中，GS9023BCVE3 可用于路由器和交换机的数据包缓存，以提升数据转发效率。
同时，其宽温特性和工业级可靠性也使其适用于户外设备、车载系统以及恶劣环境下的工业设备中。
此外，该SRAM还常用于需要实时数据处理的视频处理设备、医疗成像设备和高性能计算模块。
CY7C1380C-10ZSXC, IDT71V416S10PFG, IS64WV51236EBLL-10B4I
