GS880E18BGT-150 时间：2025/8/25 6:29:19 阅读：15

GS880E18BGT-150 是由GSI Technology公司生产的一款高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM属于高速同步类型，主要用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合，例如网络设备、通信基础设施、工业控制系统等。GS880E18BGT-150采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问以及宽工作温度范围的特点，适用于各种高性能计算和数据处理场景。

参数

类型：SRAM
　　功能类型：同步高速SRAM
　　存储容量：256K x 18位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：150MHz
　　封装类型：BGA
　　引脚数量：165
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据总线宽度：18位
　　时钟频率：150MHz
　　接口类型：并行
　　封装尺寸：17mm x 17mm

特性

GS880E18BGT-150具有多个显著的性能特点，使其适用于高性能存储需求。首先，其256K x 18位的存储结构允许存储大量数据，并支持18位数据总线，适用于高带宽数据传输应用。芯片的同步架构确保了与系统时钟的严格同步，提高了数据访问的稳定性和可靠性。150MHz的时钟频率和对应的访问时间使其能够在高速系统中运行，适用于实时处理任务。电源电压为3.3V，结合CMOS工艺实现了较低的功耗，同时保证了高速性能。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业级环境下运行，确保在极端温度条件下的稳定性。封装形式为165引脚BGA，提供了良好的电气性能和机械稳定性，便于在高密度PCB设计中使用。此外，该SRAM支持多种操作模式，包括读写操作、自动刷新以及待机模式，以适应不同的应用需求并优化功耗。

应用

GS880E18BGT-150主要应用于需要高速存取和高稳定性的电子系统中。常见的应用包括网络交换设备、路由器、通信基站、工业自动化控制系统、测试测量设备以及高性能嵌入式系统。在这些系统中，该SRAM可用于缓存数据、临时存储运行时信息或作为高速缓冲存储器，以提升系统整体性能和响应速度。此外，其工业级温度特性和高可靠性也使其适用于航空航天、医疗电子等对元器件性能要求极高的领域。