时间：2025/9/2 13:28:13
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MPC17A10是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具备优异的导通性能和热稳定性。MPC17A10采用TO-220封装，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
类型：N沟道
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：17A（在Tc=25℃）
漏极电流脉冲(Id,pulse)：68A
导通电阻(Rds(on))：0.085Ω（最大值，Vgs=10V）
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
存储温度范围：-55℃至150℃
MPC17A10具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其采用Trench沟槽技术，提供更高的单位面积电流密度，同时优化了热性能。该器件的栅极电荷（Qg）较低，适合高频开关应用，从而降低开关损耗。MPC17A10的封装设计具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。其工作温度范围宽，能够在恶劣环境中稳定运行。MPC17A10还具备出色的短路耐受能力，适用于对系统稳定性要求较高的应用场景。
MPC17A10常用于多种电源管理与功率控制应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。此外，它也适用于汽车电子系统、UPS不间断电源、光伏逆变器以及电机驱动电路。由于其优异的导通特性和热稳定性，该MOSFET特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。
IRF1405, FDP17N10, FQP17N10L, NTD17N10T4G
