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GS8161Z36BGT-200 发布时间 时间:2025/9/12 11:15:51 查看 阅读:23

GS8161Z36BGT-200 是由GSI Technology公司生产的一款高速同步静态随机存取存储器(Sync SRAM)。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要高速数据存取的应用场合。GS8161Z36BGT-200属于36位同步SRAM,具有高速访问时间,适合用于网络设备、通信系统以及高性能计算设备中的高速缓存。

参数

容量:2.25Mb(64K x 36)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:200MHz
  封装类型:TQFP
  引脚数:165
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行
  存储类型:同步SRAM

特性

GS8161Z36BGT-200同步SRAM芯片具有多项优异特性,首先是其高速性能,支持高达200MHz的工作频率,确保数据在高速系统中能够快速存取。其次是其宽电压范围,可在2.3V至3.6V之间稳定工作,适应不同的电源设计需求。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗特性,适用于对功耗敏感的应用场景。此外,其165引脚TQFP封装设计确保了良好的散热性能和稳定性,适用于复杂的工业环境。
  该芯片支持异步复位和同步控制信号,能够灵活地与各种控制器配合使用。其36位数据宽度设计使其适用于高带宽应用场景,如高速缓存、数据缓冲和实时处理系统。同时,GS8161Z36BGT-200具有较高的可靠性和稳定性,适用于电信、工业控制、测试设备和高端嵌入式系统等领域。

应用

GS8161Z36BGT-200广泛应用于需要高速数据处理和大容量缓存的电子系统中。典型应用包括路由器、交换机、通信模块、高速数据采集系统、图像处理设备以及工业控制设备。其高频率响应和低延迟特性使其成为网络处理器、数字信号处理器(DSP)和现场可编程门阵列(FPGA)的理想配套存储器。此外,该芯片也适用于测试与测量设备中的高速缓存和临时数据存储需求。

替代型号

CY7C1361BV25-200BZXC,IDT71V416SA200B

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