类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN5x6

IR9084具有多项优异特性，使其在电源管理和电机驱动应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，例如直流-直流转换器、电机驱动器和负载开关。其次，该芯片的高栅极电压容限（±20V）增强了其在高压环境下的稳定性和可靠性，避免因栅极电压波动而引起的失效。
　　IR9084的封装设计采用了DFN封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的热性能。这种封装方式有助于提高热传导效率，使得芯片在高负载工作状态下仍能保持较低的温度。此外，DFN封装还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，提升制造效率。
　　该芯片还具备快速开关特性，支持高频率操作，适用于需要高频开关的应用场景，如同步整流器和高频逆变器。其开关损耗低，能够在提高系统效率的同时减少热量产生。此外，IR9084的高电流承载能力使其适用于大功率负载驱动，如电动工具、汽车电子系统和工业自动化设备。

IR9084广泛应用于多种电子系统和设备中，特别是在需要高效功率控制和高可靠性设计的场景中。常见的应用包括直流-直流转换器（DC-DC Converter）、同步整流器（Synchronous Rectifier）、电机驱动电路（Motor Driver）、负载开关（Load Switch）以及电池管理系统（Battery Management System）。
　　在电源管理系统中，IR9084可作为主功率开关器件，用于高效能的电压调节和能量转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适用于高效率、高频率的电源设计，如便携式设备电源、服务器电源和LED照明驱动电源。
　　在电机控制和驱动应用中，IR9084可以用于H桥电路或半桥电路，实现电机的双向控制和速度调节。其高电流承载能力和低功耗特性使其成为电动工具、无人机电机驱动和工业自动化设备的理想选择。
　　此外，该芯片在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车窗升降控制模块。其DFN封装形式不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，适用于高温环境下的汽车应用。

Si9410BDY, FDS4410A, IPB013N04LG